К выставке Big Sight в Токио, которая проходит с 10 по 12 декабря, компания Fujitsu Laboratories подготовила интересную новинку — самое компактное и одновременно самое эффективное зарядное устройство для смартфонов, сообщает 3DNews.
Разработчики из Fujitsu использовали в схеме устройства новейшие силовые транзисторы на основе нитрида галлия (GaN). Транзисторы на основе GaN способны работать на частотах, вдесятеро превышающих скорость переключения традиционных кремниевых полевых транзисторов. Этому способствует высокая подвижность электронов в нитриде галлия. Также GaN-транзисторы обладают низким динамическим сопротивлением и характеризуются низким пороговым напряжением переключения.
Благодаря перечисленным выше характеристикам блоки питания на основе транзисторов из нитрида галлия оказываются значительно меньше по размерам и способны отдавать нагрузке повышенные токи с уменьшенными потерями при преобразовании. Прототип блока питания Fujitsu для смартфона имеет объём всего 15 кубических сантиметров и отдаёт нагрузке до 12 Вт. Коэффициент полезного действия достигает значения 87 %. Последнее не менее важно, чем малые размеры и высокие токи. Ёмкости батареек в смартфонах постепенно растут, а значит, растёт время, требуемое для полного заряда аккумулятора. Чем выше КПД преобразователя, тем меньше электроэнергии сгорает впустую, что идёт в плюс экономике и экологии.