Компания Samsung объявила о начале выпуска быстродействующей флеш-памяти NAND с интерфейсом Toggle DDR2.

20-нанометровые микрочипы производятся по технологии многоуровневых ячеек (MLC) и имеют ёмкость 64 Гбит (8 Гб). Интерфейс Toggle DDR2 обеспечивает пропускную способность до 400 Мбит/с. Это в 10 раз больше по сравнению с широко распространённой сегодня памятью Single Data Rate (SDR) NAND (40 Мбит/с) и примерно втрое выше, чем у микросхем, использующих интерфейс Toggle DDR1 (133 Мбит/с).

Ожидается, что новые микросхемы флеш-памяти Samsung найдут применение в высокопроизводительных смартфонах, планшетных компьютерах, твердотельных накопителях и пр.

Напомним, что Toshiba готова к выпуску NAND-памяти с применением 19-нанометровой технологии. В прошлом месяце компания начала пробные поставки микросхем ёмкостью 8 Гб с двухбитовыми ячейками. Шестнадцать таких чипов, упакованных в одном корпусе, позволят создавать флеш-накопители на 128 Гб для коммуникаторов, планшетов и прочих гаджетов.